Opis trybu pomiarowego Kelvin Probe AFM

Pomiar rozkładu potencjału (Surface Potential - SP) nazywany też mikroskopią Kelvinowską (SKPM) jest sposobem obrazowania wywodzącym się z trybu TappingMode, a pozwalającym na tworzenie map potencjałów na powierzchni próbki. Jest to metoda kompensacyjna. Podczas gdy ostrze przemieszcza się nad powierzchnią próbki w trybie LiftMode, na belkę i ostrze skanujące działa siła wynikająca z różnicy potencjałów pomiędzy ostrzem a próbką.
Siła ta jest kompensowana poprzez spolaryzowanie ostrza takim samym potencjałem, jaki znajduje się na powierzchni próbki pod nim. Metoda SP może być wykorzystana do wykrywania i określania różnicy potencjałów kontaktów (Contact Potential Differences - CPD) na powierzchni.

 

Przykłady (kliknij, aby powiększyć)


Fragment układu scalonego. W centralnej części widoczne są rezystory dyfuzyjne. Widok z kamery CCD.
 

Topografia fragmentu układu scalonego. Obszar rezystorów dyfuzyjnych. Pole skanowania 90x90um.

Rozkład potencjałów fragmentu układu scalonego. Widoczne są ścieżki rezystorów, które na skutek domieszkowania mają inną pracę wyjścia niż podłoże. Pole skanowania 90x90um.

Topografia próbki testowej. Widoczny jest defekt. Pole skanowania 40x40um.

Rozkład potencjałów fragmentu układu scalonego. Widoczna zaburzona struktura potencjałów powierzchniowych w obszarze defektu.

Topografia struktury optoelektronicznej na podłożu GaAs. Widoczna jest metalizacja pełniąca rolę kontaktu omowego (po prawej) oraz kontaktu prostującego (po lewej). Pole skanowania 9,2x9,2um.

Rozkład potencjałów struktury optoelektronicznej na podłożu GaAs. Widoczne są różnice pomiędzy podłożem oraz metalizacją a także niejednorodności kontaktu omowego.

Topografia podłoża GaAs. Pole skanowania 2x2um.

Rozkład potencjałów na podłożu GaAs. Widoczny jest efekt zanieczyszczenia pochodzącego od położonej po prawej stronie metalizacji.


poprzednie

do góry

następne