Opis trybu pomiarowego STM (Scanning Tunneling Microscopy)

Skaningowa Mikroskopia Tunelowa (STM) pozwala na pomiar kształtu powierzchni stanów elektronowych z wykorzystaniem prądu tunelowego, którego wartość zależy od odległości pomiędzy ostrzem a próbką. Pomiary STM z reguły wykonywane są na przewodzących i półprzewodzących powierzchniach. Najczęściej technika ta wykorzystywana jest w obrazowaniu powierzchni z rozdzielczością atomową, w elektrochemicznej skaningowej mikroskopii tunelowej (electrochemical STM), spektroskopii tunelowej (Scanning Tunneling Spectroscopy -STS) oraz w niskoprądowym obrazowaniu słabo przewodzących próbek.

 

Przykłady (kliknij, aby powiększyć)



Powierzchnia grafitu (HOPG).

poprzednie

do góry

następne